Справочник MOSFET. PHP83N03LT

 

PHP83N03LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP83N03LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP83N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  philips
 php83n03lt.pdf pdf_icon

PHP83N03LT

PHP83N03LT; PHB83N03LT;PHE83N03LTN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 23 January 2001 Product specification1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP83N03LT in a SOT78 (TO-220AB)PHB83N03LT in a SOT404 (D2-PAK)PHE83N03LT in a SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state res

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO6432 | BUK455-100B | SSF65R420S2 | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.