PHP83N03LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP83N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP83N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP83N03LT даташит

 ..1. Size:308K  philips
 php83n03lt.pdf pdf_icon

PHP83N03LT

PHP83N03LT; PHB83N03LT; PHE83N03LT N-channel TrenchMOS transistor Rev. 01 23 January 2001 Product specification 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP83N03LT in a SOT78 (TO-220AB) PHB83N03LT in a SOT404 (D2-PAK) PHE83N03LT in a SOT226 (I2-PAK). 2. Features Low on-state res

Другие IGBT... PHP45NQ15T, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, PHP73N06T, PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, 5N60, PHP96NQ03LT, PHP9N60E, PHU101NQ03LT, PHU108NQ03LT, PHU11NQ10T, PHU66NQ03LT, PHU77NQ03T, PHU78NQ03LT