PHP96NQ03LT Todos los transistores

 

PHP96NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP96NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00495 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHP96NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  philips
 phb96nq03lt php96nq03lt.pdf pdf_icon

PHP96NQ03LT

PHP/PHB/PHD96NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 05 5 June 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP96NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB96NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD96NQ03LT in SOT428 (D-PAK).2. Features Low gate charge Low on-state resistance.3. Appli

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SM1A32NSU | 2SK871 | QN3107M6N | FDS8949-F085 | IPI045N10N3G | AP4506GEM | 2SK1412LS

 

 
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