PHU101NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHU101NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHU101NQ03LT
PHU101NQ03LT Datasheet (PDF)
php101nq03lt phu101nq03lt.pdf
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phb108nq03lt phd108nq03lt phu108nq03lt.pdf
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