PHW7N60 Todos los transistores

 

PHW7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHW7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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PHW7N60 Datasheet (PDF)

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PHW7N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHW7N60 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 600 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 7 Aoff-state characteristics, fast Ptot Total power dissipation

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PHW7N60

PHW7N60Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHW7N60 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 600 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 7 Aoff-state characteristics, fast Ptot

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PHW7N60

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP7N60E, PHB7N60E, PHW7N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.2 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

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History: STD4NK80Z-1 | 2SK1936 | BL25N40-W | SM6512D1RL | AOI418 | 5N65L-TN3-R | HAT2168H

 

 
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