PHX18NQ11T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHX18NQ11T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PHX18NQ11T datasheet

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PHX18NQ11T

PHX18NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 24 March 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a fully isolated plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Isolated mounting base Low on-state resistance Fast switching Low

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PHX18NQ11T

PHX18NQ20T N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 28 August 2000 Product specification M3D308 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHX18NQ20T in SOT186A. 2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance

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PHX18NQ20T N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 28 August 2000 Product specification M3D308 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHX18NQ20T in SOT186A. 2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance

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