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PHX18NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHX18NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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PHX18NQ20T Datasheet (PDF)

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PHX18NQ20T

PHX18NQ20TN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 28 August 2000 Product specificationM3D3081. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHX18NQ20T in SOT186A.2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance

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PHX18NQ20T

PHX18NQ20TN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 28 August 2000 Product specificationM3D3081. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHX18NQ20T in SOT186A.2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance

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PHX18NQ20T

PHX18NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 24 March 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a fullyisolated plastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Isolated mounting base Low on-state resistance Fast switching Low

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History: BRCS100N06BD | VP3203N3 | AP6N1R7CDT | AP4501AGEM-HF | SPI21N50C3 | VP3203N8 | GP2M007A065XG

 

 
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