PHX23NQ11T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHX23NQ11T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de PHX23NQ11T MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PHX23NQ11T datasheet
phx23nq11t.pdf
PHX23NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 14 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulated plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Isolated package. 1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies. 1.4 Qu
phx23nq10t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX23NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching ID = 13 A g RDS(ON) 70 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using trench techno
phx23nq10t.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX23NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching ID = 13 A g RDS(ON) 70 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using trench techno
Otros transistores... PHU78NQ03LT, PHW7N60, PHW80NQ10T, PHX14NQ20T, PHX18NQ11T, PHX18NQ20T, PHX20N06T, PHX23NQ10T, STP65NF06, PHX27NQ11T, PHX45NQ11T, PHX8NQ11T, PHX9NQ20T, PJD1NA50, PJD1NA60, PJD1NA60A, PJD1NA80
History: IPS60R210PFD7S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor
