PJD2NA60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJD2NA60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de PJD2NA60 MOSFET
PJD2NA60 Datasheet (PDF)
pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A
pjd2na60h pju2na60h.pdf

PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A
pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
Otros transistores... PHX27NQ11T , PHX45NQ11T , PHX8NQ11T , PHX9NQ20T , PJD1NA50 , PJD1NA60 , PJD1NA60A , PJD1NA80 , HY1906P , PJD2NA60H , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 .
History: 2SK3528 | AFP2319A | NCE2301B | AO4818 | KP821B | TSP840MR
History: 2SK3528 | AFP2319A | NCE2301B | AO4818 | KP821B | TSP840MR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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