PJD2NA70 Todos los transistores

 

PJD2NA70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJD2NA70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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PJD2NA70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  panjit
 pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf pdf_icon

PJD2NA70

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

 8.1. Size:264K  panjit
 pjd2na60h pju2na60h.pdf pdf_icon

PJD2NA70

PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A

 8.2. Size:436K  panjit
 pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf pdf_icon

PJD2NA70

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A

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History: IRFP31N50L | SPA11N60C3 | IRLZ44NS

 

 
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