PJD2NA70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJD2NA70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PJD2NA70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJD2NA70 даташит

 ..1. Size:450K  panjit
 pjd2na70 pjf2na70 pjp2na70 pju2na70.pdf pdf_icon

PJD2NA70

PPJU2NA70 / PJD2NA70 / PJP2NA70 / PJF2NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

 8.1. Size:264K  panjit
 pjd2na60h pju2na60h.pdf pdf_icon

PJD2NA70

PPJU2NA60H / PJD2NA60H 600V N-Channel MOSFET 600 V 1.4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.7A

 8.2. Size:436K  panjit
 pjd2na60 pjf2na60 pjp2na60 pju2na60.pdf pdf_icon

PJD2NA70

PPJU2NA60 / PJD2NA60 / PJP2NA60 / PJF2NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 2 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1A

Другие IGBT... PHX8NQ11T, PHX9NQ20T, PJD1NA50, PJD1NA60, PJD1NA60A, PJD1NA80, PJD2NA60, PJD2NA60H, EMB04N03H, PJD3NA50, PJD3NA80, PJD4NA60, PJD4NA65, PJD4NA70, PJD4NA90, PJD5NA50, PJD5NA80