PJD3NA80 Todos los transistores

 

PJD3NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJD3NA80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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PJD3NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  panjit
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJD3NA80

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

 8.1. Size:265K  panjit
pjd3na50 pju3na50.pdf pdf_icon

PJD3NA80

PPJU3NA50 / PJD3NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

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History: DHSJ13N65 | IRFP7430PBF | SQS484ENW | DHS045N88E | AOTF450L

 

 
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