PJD4NA65 Todos los transistores

 

PJD4NA65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJD4NA65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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PJD4NA65 Datasheet (PDF)

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PJD4NA65

PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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PJD4NA65

PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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PJD4NA65

PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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PJD4NA65

PPJU4NA90 / PJD4NA90 / PJP4NA90 / PJF4NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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History: NCE2302C | CHM1592GP | 25N10L-TN3-R | APT50M80B2VR | 2N60G-E-K08-5060-R | NTMFS5C670N | NCE2312X

 

 
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