PJD4NA65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJD4NA65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PJD4NA65
PJD4NA65 Datasheet (PDF)
pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf
PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf
PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na70 pjf4na70 pjp4na70 pju4na70.pdf
PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na90 pjf4na90 pjp4na90 pju4na90.pdf
PPJU4NA90 / PJD4NA90 / PJP4NA90 / PJF4NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
Другие MOSFET... PJD1NA60A , PJD1NA80 , PJD2NA60 , PJD2NA60H , PJD2NA70 , PJD3NA50 , PJD3NA80 , PJD4NA60 , AO4407A , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , PJD7NA60 , PJD7NA65 .
History: NCEP055N10M | NCEP055N10U | 5N65KL-TM3-T | NCEP055N10 | 5N65KL-TMS-T
History: NCEP055N10M | NCEP055N10U | 5N65KL-TM3-T | NCEP055N10 | 5N65KL-TMS-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250





