PJF9NA90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJF9NA90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: ITO-220AB-F
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PJF9NA90 datasheet
pjf9na90 pjp9na90 pjz9na90.pdf
PPJP9NA90 / PJF9NA90 / PJZ9NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 9 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4.5A
Otros transistores... PJF5NA80, PJF6NA40, PJF6NA70, PJF6NA90, PJF7NA60, PJF7NA65, PJF7NA80, PJF8NA50, IRFP250N, PJN1NA50, PJN1NA60, PJN1NA60A, PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, PJP12NA60, PJP13NA50
History: GSM3466
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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