PJF9NA90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJF9NA90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: ITO-220AB-F

Аналог (замена) для PJF9NA90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJF9NA90 даташит

 ..1. Size:340K  panjit
 pjf9na90 pjp9na90 pjz9na90.pdf pdf_icon

PJF9NA90

PPJP9NA90 / PJF9NA90 / PJZ9NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 9 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@4.5A

Другие IGBT... PJF5NA80, PJF6NA40, PJF6NA70, PJF6NA90, PJF7NA60, PJF7NA65, PJF7NA80, PJF8NA50, IRFP250N, PJN1NA50, PJN1NA60, PJN1NA60A, PJP10NA60, PJP10NA65, PJP10NA80, PJP12NA60, PJP13NA50