PJU6NA70 Todos los transistores

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PJU6NA70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJU6NA70

Código: U6NA70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 128 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 38 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251AA

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PJU6NA70 Datasheet (PDF)

1.1. pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf Size:432K _panjit

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PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@3A<1.7Ω ITO-220AB-F TO-220AB  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive TO-252AA TO-251AA  Green molding compo

4.1. pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf Size:458K _panjit

PJU6NA70
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PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@3A<0.95 Ω ITO-220AB-F TO-220AB  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252AA TO-251AA  Green molding co

 

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