PJU6NA70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJU6NA70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для PJU6NA70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJU6NA70 даташит

 ..1. Size:432K  panjit
pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdfpdf_icon

PJU6NA70

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

 8.1. Size:458K  panjit
pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdfpdf_icon

PJU6NA70

PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3A

Другие IGBT... PJU3NA80, PJU4NA60, PJU4NA65, PJU4NA70, PJU4NA90, PJU5NA50, PJU5NA80, PJU6NA40, 20N50, PJU7NA60, PJU7NA65, PJU8NA50, SFF054M, SFF054Z, SFF100N20, SFF10N100, SFF10N100B