SFF116N10M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF116N10M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO-254

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SFF116N10M datasheet

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SFF116N10M

SFF116N10M Solid State Devices, Inc. SFF116N10Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 116 AMP , 100 Volts, 15 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF116N10 ___ ___ ____ Screening 2/ MOSFET __ = Not Scre

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SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNER S DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop

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