SFF116N10M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF116N10M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-254

Аналог (замена) для SFF116N10M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF116N10M даташит

 ..1. Size:112K  ssdi
 sff116n10m sff116n10z.pdf pdf_icon

SFF116N10M

SFF116N10M Solid State Devices, Inc. SFF116N10Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 116 AMP , 100 Volts, 15 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF116N10 ___ ___ ____ Screening 2/ MOSFET __ = Not Scre

 9.1. Size:31K  ssdi
 sff110s.pdf pdf_icon

SFF116N10M

SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNER S DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop

 9.2. Size:164K  ssdi
 sff11n80n sff11n80p.pdf pdf_icon

SFF116N10M

 9.3. Size:144K  ssdi
 sff11n80m sff11n80z.pdf pdf_icon

SFF116N10M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF10N100, SFF10N100B, SFF10N100M, SFF10N100N, SFF10N100P, SFF10N100Z, SFF10N60, SFF110S, IRFZ46N, SFF116N10Z, SFF11N80B, SFF11N80M, SFF11N80N, SFF11N80P, SFF11N80Z, SFF120-28Q, SFF12N60