SFF1310M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF1310M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-3

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SFF1310M datasheet

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SFF1310M

PRELIMINARY SFF1310M SFF1310Z SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 40 AMPS 200 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 0.050 N-CHANNEL FEATURES POWER MOSFET Rugged construction with polysilicon gate Low RDS (on) and high transconductance TO-3 Excellent high temperature stability Very fast switchi

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SFF1310M

SFF130/3 & SFF130/66 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 14 AMP / 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.18 SFF130 __ __ N-Channel Power MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

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