SFF1310M Todos los transistores

 

SFF1310M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF1310M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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SFF1310M Datasheet (PDF)

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SFF1310M

PRELIMINARYSFF1310MSFF1310ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177340 AMPS200 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.050 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Rugged construction with polysilicon gate Low RDS (on) and high transconductanceTO-3 Excellent high temperature stability Very fast switchi

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SFF1310M

SFF130/3 & SFF130/66 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 14 AMP / 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.18 SFF130 __ __ N-Channel Power MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

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History: BSC118N10NSG | IRFP4332PBF | FDW256P | PSMN9R0-30LL | SPP04N60C3 | SSM6K407TU | 2SK804

 

 
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