SFF1310M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFF1310M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-3

Аналог (замена) для SFF1310M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF1310M даташит

 ..1. Size:35K  ssdi
 sff1310m sff1310z.pdf pdf_icon

SFF1310M

PRELIMINARY SFF1310M SFF1310Z SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 40 AMPS 200 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET 0.050 N-CHANNEL FEATURES POWER MOSFET Rugged construction with polysilicon gate Low RDS (on) and high transconductance TO-3 Excellent high temperature stability Very fast switchi

 9.1. Size:151K  ssdi
 sff130j.pdf pdf_icon

SFF1310M

 9.2. Size:172K  ssdi
 sff130-28.pdf pdf_icon

SFF1310M

 9.3. Size:120K  ssdi
 sff130.pdf pdf_icon

SFF1310M

SFF130/3 & SFF130/66 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 14 AMP / 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.18 SFF130 __ __ N-Channel Power MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFF11N80P, SFF11N80Z, SFF120-28Q, SFF12N60, SFF130, SFF130-28, SFF130G, SFF130J, IRFP064N, SFF1310Z, SFF140, SFF140-28, SFF140J, SFF140JBW, SFF140M, SFF140Z, SFF150