SFF20N60P Todos los transistores

 

SFF20N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF20N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-259
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFF20N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ssdi
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SFF20N60P

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SFF20N60P

SFF20P10J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 20 AMP /100 Volts TO-257 200 m P-Channel MOSFET Features: Rugged construction with polysilicon gate Low ON-resistance and high transconductance Excellent high tempera

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History: STB40NS15 | MTN50N06E3 | SM3116NAF | FQB55N10TM | IPI051N15N5 | SSFT4004 | CPC3730

 

 
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