SFF40N30B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF40N30B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: MILPACK2
Búsqueda de reemplazo de SFF40N30B MOSFET
SFF40N30B Datasheet (PDF)
sff40n30mub sff40n30z sff40n30m sff40n30mdb sff40n30zdb sff40n30zub.pdf

SFF40N30M Solid State Devices, Inc. SFF40N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 40 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF40N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened
Otros transistores... SFF340C , SFF340J , SFF340M , SFF340Z , SFF35N20M , SFF35N20Z , SFF40N10-28 , SFF40N30 , 5N65 , SFF40N30M , SFF40N30MDB , SFF40N30MUB , SFF40N30N , SFF40N30P , SFF40N30Z , SFF40N30ZDB , SFF40N30ZUB .
History: GP2M002A060XG | SI7682DP
History: GP2M002A060XG | SI7682DP



Liste
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