IRFSZ14A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFSZ14A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFSZ14A datasheet

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IRFSZ14A

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IRFSZ14A

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IRFSZ14A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

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IRFSZ14A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.030 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

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