Справочник MOSFET. IRFSZ14A

 

IRFSZ14A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ14A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFSZ14A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ14A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  1
irfsz14a.pdfpdf_icon

IRFSZ14A

 9.2. Size:1006K  samsung
irfsz24a.pdfpdf_icon

IRFSZ14A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

 9.3. Size:498K  samsung
irfsz34a.pdfpdf_icon

IRFSZ14A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 20 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.030 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

Другие MOSFET... IRFS9633 , IRFS9640 , IRFS9641 , IRFS9642 , IRFS9643 , IRFS9N60A , IRFSL11N50A , IRFSL9N60A , 8205A , IRFSZ20 , IRFSZ22 , IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 .

History: RQK0204TGDQA | VBL1806 | ELM34605AA-N | HY1607P | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.