SFF50N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFF50N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-259

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF50N20P

SFF50N20P Datasheet (PDF)

..1. Size:188K ssdi
sff50n20n sff50n20p.pdf

6.1. Size:164K ssdi
sff50n20b.pdf

6.2. Size:147K ssdi
sff50n20.pdf

8.1. Size:113K ssdi
sff50n30m sff50n30z.pdf

SFF50N30M Solid State Devices, Inc. SFF50N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 50 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF50N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened

Otros transistores... SFF450 , SFF450C , SFF450M , SFF450Z , SFF4N60 , SFF50N20 , SFF50N20B , SFF50N20N , IRLZ44N , SFF50N30M , SFF50N30Z , SFF60P05M , SFF60P05MDB , SFF60P05MUB , SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: