Справочник MOSFET. SFF50N20P

 

SFF50N20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF50N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-259
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF50N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ssdi
 sff50n20n sff50n20p.pdf pdf_icon

SFF50N20P

 6.1. Size:164K  ssdi
 sff50n20b.pdf pdf_icon

SFF50N20P

 6.2. Size:147K  ssdi
 sff50n20.pdf pdf_icon

SFF50N20P

 8.1. Size:113K  ssdi
 sff50n30m sff50n30z.pdf pdf_icon

SFF50N20P

SFF50N30M Solid State Devices, Inc. SFF50N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 50 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF50N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFF450 , SFF450C , SFF450M , SFF450Z , SFF4N60 , SFF50N20 , SFF50N20B , SFF50N20N , HY1906P , SFF50N30M , SFF50N30Z , SFF60P05M , SFF60P05MDB , SFF60P05MUB , SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB .

History: BTS244Z | PTP11N40

 

 
Back to Top

 


 
.