SFF60P05MDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF60P05MDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de SFF60P05MDB MOSFET
SFF60P05MDB Datasheet (PDF)
sff60p05mub sff60p05z sff60p05m sff60p05mdb sff60p05zdb sff60p05zub.pdf
SFF60P05M SFF60P05Z Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-4470 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -60 AMP/-50 Volts DESIGNERS DATA SHEET 25 m typical Part Number / Ordering Information 1/ P-Channel SFF60P05 __ __ __ POWER MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened
Otros transistores... SFF4N60 , SFF50N20 , SFF50N20B , SFF50N20N , SFF50N20P , SFF50N30M , SFF50N30Z , SFF60P05M , AO4468 , SFF60P05MUB , SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB , SFF6N100S1 , SFF7002KA2GW , SFF70N04S , SFF70N10M .
History: APT6040BVR | RU3089L | SQJ418EP | 2SK2379 | NCE65N760F | AP18P10GI | SSF3612E
History: APT6040BVR | RU3089L | SQJ418EP | 2SK2379 | NCE65N760F | AP18P10GI | SSF3612E
Liste
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