SFF60P05Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFF60P05Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254Z

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SFF60P05Z Datasheet (PDF)

..1. Size:82K ssdi
sff60p05mub sff60p05z sff60p05m sff60p05mdb sff60p05zdb sff60p05zub.pdf

SFF60P05M SFF60P05Z Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-4470 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -60 AMP/-50 Volts DESIGNERS DATA SHEET 25 m typical Part Number / Ordering Information 1/ P-Channel SFF60P05 __ __ __ POWER MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: