SFF801R2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF801R2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: MILPACK

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SFF801R2 datasheet

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SFF801R2

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SFF801R2

SFF80N20 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 80 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNER S DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF80N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX

Otros transistores... SFF75N06Z, SFF75N08M, SFF75N08Z, SFF75N10, SFF75N10B, SFF75N10N, SFF75N10P, SFF7N60, 2N7000, SFF80N20M, SFF80N20MDB, SFF80N20MUB, SFF80N20N, SFF80N20NDB, SFF80N20NUB, SFF80N20P, SFF80N20PDB