SFF9130J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF9130J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de SFF9130J MOSFET
SFF9130J Datasheet (PDF)
sff9130-28d.pdf

PRELIMINARYSFF9130-28DSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773-11 AMP-100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.30 DUAL UNCOMMITEDFEATURES: P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability
Otros transistores... SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , SFF840 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , AON7410 , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT , SFF9140-28 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z .
History: LSGG06R034W3 | CJ2301S | NCE65N230I | BRCS100N03BD | IPD036N04LG | NCE60P82AD | SSM4800AGM
History: LSGG06R034W3 | CJ2301S | NCE65N230I | BRCS100N03BD | IPD036N04LG | NCE60P82AD | SSM4800AGM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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