SFF9130J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF9130J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de SFF9130J MOSFET
SFF9130J Datasheet (PDF)
sff9130-28d.pdf

PRELIMINARYSFF9130-28DSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773-11 AMP-100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.30 DUAL UNCOMMITEDFEATURES: P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability
Otros transistores... SFF80N20Z , SFF80N20ZDB , SFF80N20ZUB , SFF840 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , IRF9540N , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT , SFF9140-28 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z .
History: 5N65L-TM3-T | SQJ912AEP | 60N08 | OSS60R190FF | AP6N2R0I | PJF4NA70 | RU1H36L
History: 5N65L-TM3-T | SQJ912AEP | 60N08 | OSS60R190FF | AP6N2R0I | PJF4NA70 | RU1H36L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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