Справочник MOSFET. SFF9130J

 

SFF9130J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFF9130J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFF9130J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  ssdi
sff9130j.pdfpdf_icon

SFF9130J

 7.1. Size:175K  ssdi
sff9130-28d.pdfpdf_icon

SFF9130J

PRELIMINARYSFF9130-28DSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773-11 AMP-100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.30 DUAL UNCOMMITEDFEATURES: P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability

 7.2. Size:170K  ssdi
sff9130m sff9130z.pdfpdf_icon

SFF9130J

 7.3. Size:172K  ssdi
sff9130.pdfpdf_icon

SFF9130J

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQP10N60CF | SIHG47N60S | KO3413 | 9N95 | HSS2302B | STFI15N60M2-EP | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.