SFF9130Z Todos los transistores

 

SFF9130Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF9130Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254Z
 

 Búsqueda de reemplazo de SFF9130Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SFF9130Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ssdi
sff9130m sff9130z.pdf pdf_icon

SFF9130Z

 7.1. Size:175K  ssdi
sff9130-28d.pdf pdf_icon

SFF9130Z

PRELIMINARYSFF9130-28DSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773-11 AMP-100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.30 DUAL UNCOMMITEDFEATURES: P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability

 7.2. Size:172K  ssdi
sff9130.pdf pdf_icon

SFF9130Z

 7.3. Size:153K  ssdi
sff9130j.pdf pdf_icon

SFF9130Z

Otros transistores... SFF80N20ZUB , SFF840 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , IRFB3607 , SIS415DNT , SFF9140-28 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z , SFF9230M , SFF9230Z .

History: NP80N03DDE | IRLB8743 | IRL60HS118

 

 
Back to Top

 


 
.