SFF9130Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFF9130Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-254Z
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SFF9130Z Datasheet (PDF)
sff9130-28d.pdf
PRELIMINARYSFF9130-28DSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773-11 AMP-100 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.30 DUAL UNCOMMITEDFEATURES: P-CHANNEL POWER MOSFET Rugged construction with poly silicon gate Low RDS (on) and high transconductance28 PIN CLCC Excellent high temperature stability
Другие MOSFET... SFF80N20ZUB , SFF840 , SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , RFP50N06 , SIS415DNT , SFF9140-28 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z , SFF9230M , SFF9230Z .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor