SFL3200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFL3200
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de SFL3200 MOSFET
SFL3200 Datasheet (PDF)
sfl3200.pdf

SFL3200/39 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com Logic Level DESIGNERS DATA SHEET 12A 150V .17 Features: N-Channel Power MOSFET Rugged Construction Low RDS(on) and high transconductance Excellent High Temperature Stability Very Fast
Otros transistores... SFFC50M , SFFC50Z , SFFX054M , SFFX054Z , SFH9250L , SFI9540 , SFL024 , SFL044J , 75N75 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 .
History: FML16N60ES | JMTQ55P02A | WMQ28N03T1 | IRL7486MTRPBF | FS3VS-9 | AUIRF7303Q | SIR878DP
History: FML16N60ES | JMTQ55P02A | WMQ28N03T1 | IRL7486MTRPBF | FS3VS-9 | AUIRF7303Q | SIR878DP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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