SFL3200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFL3200 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 13 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Encapsulados: TO39
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SFL3200 datasheet
sfl3200.pdf
SFL3200/39 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com Logic Level DESIGNER S DATA SHEET 12A 150V .17 Features N-Channel Power MOSFET Rugged Construction Low RDS(on) and high transconductance Excellent High Temperature Stability Very Fast
Otros transistores... SFFC50M, SFFC50Z, SFFX054M, SFFX054Z, SFH9250L, SFI9540, SFL024, SFL044J, 18N50, SFM9014TF, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50
History: OSG80R380DSF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
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