Справочник MOSFET. SFL3200

 

SFL3200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFL3200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO39
 

 Аналог (замена) для SFL3200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFL3200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ssdi
 sfl3200.pdf pdf_icon

SFL3200

SFL3200/39 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com Logic Level DESIGNERS DATA SHEET 12A 150V .17 Features: N-Channel Power MOSFET Rugged Construction Low RDS(on) and high transconductance Excellent High Temperature Stability Very Fast

Другие MOSFET... SFFC50M , SFFC50Z , SFFX054M , SFFX054Z , SFH9250L , SFI9540 , SFL024 , SFL044J , 75N75 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 , SFP3710G , SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 .

History: WMO90P03TS | SWF13N65K2 | RU80N15S | MC3406 | NCEP040N10GU | IRF7329PBF | HYG035N10NS2B

 

 
Back to Top

 


 
.