SFM9014TF Todos los transistores

 

SFM9014TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFM9014TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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SFM9014TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  fairchild semi
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SFM9014TF

SFM9014Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60V2 Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

 7.1. Size:949K  samsung
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SFM9014TF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V2 Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

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History: RDD020N60 | IRL3803VS | IRFB260N | IRHYB67134CM | SI7384DP | STB34NM60N | NCEP030N85GU

 

 
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