Справочник MOSFET. SFM9014TF

 

SFM9014TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFM9014TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для SFM9014TF

 

 

SFM9014TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  fairchild semi
 sfm9014tf.pdf

SFM9014TF SFM9014TF

SFM9014Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -60V2 Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

 7.1. Size:949K  samsung
 sfm9014.pdf

SFM9014TF SFM9014TF

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V2 Lower RDS(ON) : 0.362 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top