SFM9014TF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFM9014TF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SFM9014TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFM9014TF даташит

 ..1. Size:256K  fairchild semi
 sfm9014tf.pdf pdf_icon

SFM9014TF

SFM9014 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area SOT-223 Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V 2 Lower RDS(ON) 0.362 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

 7.1. Size:949K  samsung
 sfm9014.pdf pdf_icon

SFM9014TF

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -60V 2 Lower RDS(ON) 0.362 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

Другие IGBT... SFFC50Z, SFFX054M, SFFX054Z, SFH9250L, SFI9540, SFL024, SFL044J, SFL3200, 20N50, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630