SFP12N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP12N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP12N65 datasheet

 ..1. Size:475K  winsemi
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SFP12N65

SFP12N65 SFP12N65 SFP12N65 SFP12N65 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 12A,650V,RDS(on)(Max0.78 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced usin

 9.1. Size:7419K  cn scilicon
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SFP12N65

SFP120N120B,SFB120N120B N-MOSFET 120V, 7.5m , 120A Product Summary F eatures VDS 120V Reliable and Rugged RDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices Available ID 120A (RoHS Compliant) 100% DVDS Tested pplications A 100% Avalanche Tested Switching application Power Management for Inverter Systems. SFP120N120B SFB120N120B N-Channel MOSFET Package Mar

 9.2. Size:7153K  cn scilicon
 sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf pdf_icon

SFP12N65

SFP120N80A,SFB120N80A SFP066N80AC3,SFB063N80AC3 N-MOSFET 80V, 5.5m , 120A Features Product Summary Enhancement Mode VDS 80V Very Low On-Resistance RDS(on) 5.5m Fast Switching ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100

Otros transistores... SFFX054Z, SFH9250L, SFI9540, SFL024, SFL044J, SFL3200, SFM9014TF, SFM9110TF, IRF2807, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640