SFP12N65 Todos los transistores

 

SFP12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP12N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SFP12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  winsemi
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SFP12N65
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SFP12N65SFP12N65SFP12N65SFP12N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

 9.1. Size:7419K  cn scilicon
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SFP120N120B,SFB120N120B N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP120N120B SFB120N120BN-Channel MOSFETPackage Mar

 9.2. Size:7153K  cn scilicon
sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf

SFP12N65
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SFP120N80A,SFB120N80ASFP066N80AC3,SFB063N80AC3 N-MOSFET 80V, 5.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS80V Very Low On-Resistance RDS(on)5.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100

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