SFP5N50 Todos los transistores

 

SFP5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP5N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  winsemi
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SFP5N50

SFP5N50SFP5N50SFP5N50SFP5N50Silicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 5A,500V,RDS(on)(Max 1.6)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Power MOSFET is prod

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History: AUIRFB4410 | PMZB390UNE | GP1T072A060B | KIA3510A-220 | IRFSL4310PBF | AUIRFB4410Z | SIR880DP

 

 
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