Справочник MOSFET. SFP5N50

 

SFP5N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFP5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SFP5N50

 

 

SFP5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  winsemi
 sfp5n50.pdf

SFP5N50 SFP5N50

SFP5N50SFP5N50SFP5N50SFP5N50Silicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 5A,500V,RDS(on)(Max 1.6)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Power MOSFET is prod

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top