SFP5N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP5N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP5N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP5N50 даташит

 ..1. Size:735K  winsemi
 sfp5n50.pdf pdf_icon

SFP5N50

SFP5N50 SFP5N50 SFP5N50 SFP5N50 Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 5A,500V,RDS(on)(Max 1.6 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General Description General Description General Description This Power MOSFET is prod

Другие IGBT... SFL3200, SFM9014TF, SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, P60NF06, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740