Справочник MOSFET. SFP5N50

 

SFP5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP5N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  winsemi
 sfp5n50.pdf pdf_icon

SFP5N50

SFP5N50SFP5N50SFP5N50SFP5N50Silicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 5A,500V,RDS(on)(Max 1.6)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Power MOSFET is prod

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.