SFP634 Todos los transistores

 

SFP634 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP634
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SFP634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  winsemi
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SFP634

SFP634SFP634SFP634SFP634Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 9A, 250V, R (Max 0.45)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGenera

 9.1. Size:559K  winsemi
 sfp630.pdf pdf_icon

SFP634

SFP630Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures 9A, 200V,RDS(on)(Max 0.4)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral DescriptionGeneral Descript

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History: JFFM5N80C | IRFR3518PBF | STB200NF04T4 | SWF8N65D | STB60NE06L-16T4 | RU55L18L | RU60101R

 

 
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