SFP634 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP634  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP634

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP634 даташит

 ..1. Size:707K  winsemi
 sfp634.pdf pdf_icon

SFP634

SFP634 SFP634 SFP634 SFP634 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 250V, R (Max 0.45 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 41nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description Genera

 9.1. Size:559K  winsemi
 sfp630.pdf pdf_icon

SFP634

SFP630 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 9A, 200V,RDS(on)(Max 0.4 )@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General Description General Descript

Другие IGBT... SFM9110TF, SFP12N65, SFP13N50, SFP3710G, SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, AO3400A, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830