SFP730 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP730  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de SFP730 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFP730 datasheet

 ..1. Size:716K  winsemi
 sfp730.pdf pdf_icon

SFP730

SFP730 SFP730 SFP730 SFP730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

 0.1. Size:260K  semiwell
 sfp730d.pdf pdf_icon

SFP730

SemiWell Semiconductor SFP730D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Otros transistores... SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, 7N60, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, SFP9N50