SFP730 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP730  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP730 даташит

 ..1. Size:716K  winsemi
 sfp730.pdf pdf_icon

SFP730

SFP730 SFP730 SFP730 SFP730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

 0.1. Size:260K  semiwell
 sfp730d.pdf pdf_icon

SFP730

SemiWell Semiconductor SFP730D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие IGBT... SFP50N06, SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, 7N60, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, SFP9N50