Справочник MOSFET. SFP730

 

SFP730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SFP730

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  winsemi
 sfp730.pdf pdf_icon

SFP730

SFP730SFP730SFP730SFP730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral

 0.1. Size:260K  semiwell
 sfp730d.pdf pdf_icon

SFP730

SemiWell Semiconductor SFP730D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

Другие MOSFET... SFP50N06 , SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , MMIS60R580P , SFP730D , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L , SFP9N50 .

History: SIF5N65F | SSW60R099SFD

 

 
Back to Top

 


 
.