SFP730D Todos los transistores

 

SFP730D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFP730D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SFP730D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SFP730D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  semiwell
 sfp730d.pdf pdf_icon

SFP730D

SemiWell Semiconductor SFP730D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

 8.1. Size:716K  winsemi
 sfp730.pdf pdf_icon

SFP730D

SFP730SFP730SFP730SFP730Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesFeaturesFeaturesFeatures5.5A,400V, R (Max 1.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionGeneral

Otros transistores... SFP50N06R , SFP5N50 , SFP630 , SFP634 , SFP640 , SFP6N40 , SFP70N06 , SFP730 , RU7088R , SFP740 , SFP75N08R , SFP830 , SFP830D , SFP840 , SFP9640L , SFP9N50 , SFR9014TF .

 

 
Back to Top

 


 
.