SFP730D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFP730D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220

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SFP730D datasheet

 ..1. Size:260K  semiwell
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SFP730D

SemiWell Semiconductor SFP730D N-Channel MOSFET Features RDS(ON) Max 1.0 ohm at VGS = 10V Gate Charge ( Typical 18nC) Improve dv/dt capability, Fast switching 100% avalanche Tested General Description This MOSFET is produced using advanced planar strip DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance have

 8.1. Size:716K  winsemi
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SFP730D

SFP730 SFP730 SFP730 SFP730 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features Features Features Features 5.5A,400V, R (Max 1.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 32nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description General

Otros transistores... SFP50N06R, SFP5N50, SFP630, SFP634, SFP640, SFP6N40, SFP70N06, SFP730, IRFZ48N, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, SFP9640L, SFP9N50, SFR9014TF