SFT210DE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFT210DE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-72
Búsqueda de reemplazo de SFT210DE MOSFET
SFT210DE Datasheet (PDF)
sft210de.pdf

SFT210DE Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 50 mA, 30 Volt, 1 nsec DESIGNERS DATA SHEET High Speed Analog Part Number / Ordering Information 1/ N-Channel DMOSFET switch SFT210 DE __ Features: Ultra-High Speed Switching tON
Otros transistores... SFP840 , SFP9640L , SFP9N50 , SFR9014TF , SFR9024TM , SFR9034TF , SFR9110TF , SFT1452 , IRFB7545 , SFT6661 , SFW9530TM , SFW9640TM , SFW9Z34TM , SQM100N04-2M7 , SQM100N04-3M5 , SQM100N10-10 , SQM110N04-02L .
History: IXTC230N085T | BUZ905
History: IXTC230N085T | BUZ905



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
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