SFT6661 Todos los transistores

 

SFT6661 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFT6661
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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SFT6661 Datasheet (PDF)

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SFT6661

SFF6661/39 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 0.86 AMP DESIGNERS DATA SHEET N-CHANNEL MOSFET Part Number / Ordering Information 1/ 90 Volts, 4 SFF6661 /39 ___ Screening 2/ __ = Not Screened TX = TX Level Features: TXV =

 9.1. Size:222K  ssdi
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SFT6661

SFT6678 SERIES Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 15 AMPS DESIGNERS DATA SHEET 400 Volts Part Number / Ordering Information 1/ NPN High Speed SFT6678 M __ TX Power Transistor Screening 2/ __ = Not Screened TX = TX Level

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History: SQ9407EY-T1 | TMC8N65H | WMQ37N03T1 | HRS88N08K | KIA2N60H-252 | NCE3008N | IRFB7437PBF

 

 
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