SFT6661 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFT6661  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-39

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFT6661 datasheet

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SFT6661

SFF6661/39 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 0.86 AMP DESIGNER S DATA SHEET N-CHANNEL MOSFET Part Number / Ordering Information 1/ 90 Volts, 4 SFF6661 /39 ___ Screening 2/ __ = Not Screened TX = TX Level Features TXV =

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SFT6661

Otros transistores... SFP9640L, SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, IRFP064N, SFW9530TM, SFW9640TM, SFW9Z34TM, SQM100N04-2M7, SQM100N04-3M5, SQM100N10-10, SQM110N04-02L, SQM110N04-03