SFT6661 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFT6661  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-39

Аналог (замена) для SFT6661

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFT6661 даташит

 ..1. Size:117K  ssdi
 sft6661.pdf pdf_icon

SFT6661

SFF6661/39 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 0.86 AMP DESIGNER S DATA SHEET N-CHANNEL MOSFET Part Number / Ordering Information 1/ 90 Volts, 4 SFF6661 /39 ___ Screening 2/ __ = Not Screened TX = TX Level Features TXV =

 9.1. Size:222K  ssdi
 sft6678.pdf pdf_icon

SFT6661

Другие IGBT... SFP9640L, SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, IRFP064N, SFW9530TM, SFW9640TM, SFW9Z34TM, SQM100N04-2M7, SQM100N04-3M5, SQM100N10-10, SQM110N04-02L, SQM110N04-03