SQM100N04-2M7 Todos los transistores

 

SQM100N04-2M7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM100N04-2M7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 744 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQM100N04-2M7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  vishay
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SQM100N04-2M7

SQM100N04-2m7www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0027 100 % Rg and UIS testedID (A) 100 AEC-Q101 qualified dConfiguration SinglePackage TO-263 Material categorization: for definitions of

 4.1. Size:166K  vishay
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SQM100N04-2M7

SQM100N04-3m5www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0030 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:DFor definitions of compliance ple

 7.1. Size:168K  vishay
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SQM100N04-2M7

SQM100N10-10www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 Material categorization:Configuration Sin

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History: VBZE50P03 | IPB60R190C6 | FCH20N60

 

 
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